标题:机组电池早期容量损失两种解释
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机组电池早期容量损失两种解释
机组电池(机组蓄电池)早期容量损失(PCL效 应)。针对这种效应,人们提出了两种解释:
1、PCLl效应,与板栅ICL I PAM界面发生的反应有关。在板栅腐蚀期间, 形成腐蚀层, 其成分为PbO、 PbOn (1 < n < 2) 和Pb02 。在循环期间,在Pb、Pb-Ca或Pb-低Sb板栅上有可能快速形成相当厚的PbO次级层,这样形成 了一个高阻抗的界面。如果板栅合金中含有大量Sb或Sn添加剂,Sb或Sn离子加快了PbO转化为化合价更高并且电导率更高的铅氧化物的反应过程, 这样可减小PbO层厚度, 因而降低了腐蚀层界面电阻。
2、 PCI2效应,与活性物质自身变化有关。该效应缘于PAM颗粒间的电阻。PCI2比PCLl对机组电池(机组蓄电池)循环寿命的影响小。
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